Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

Infineon のパワー MOSFET は、最新の処理技術を採用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、車載をはじめ幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

RoHS 準拠で AEC Q101 認定です

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