Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 300 A, 1.2 mΩ, 8ピン, パッケージ：HSOF

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RS品番:
229-1809
メーカー型番:
IAUT300N08S5N012ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

300A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

IAUT

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IAUTシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧80V、最大連続ドレイン電流300A - IAUT300N08S5N012ATMA2


このMOSFETは、要求の厳しい自動車および産業用電源スイッチング機能向けに設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。広い環境範囲で動作し、高電流基板レイアウトに適した表面実装HSOFパッケージで提供されます。このデバイスは、標準的な自動車用ゲートエクスクションに耐えるように設計されており、堅牢な電力変換およびモータードライブ用途に必要な電圧および電流容量を提供します。

特長：


• 1.2 mΩの低オン抵抗により、導通損失と熱を低減
• 80 Vドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 300 Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 375Wの最大消費電力により、持続的な電力処理を実現
• ±20 Vゲート許容差により、自動車用ゲートドライブ信号に対応
• AEC-Q101認証により、自動車用ストレススクリーニング要件に適合

用途


• 電気自動車のトラクションインバータステージに最適
• 高電流DC-DCコンバータ出力に最適
• モータドライブインバータおよびトラクションコントローラで使用
• 自動車システムの配電に使用可能
• 表面実装アセンブリを必要とする産業用電源モジュールに最適

このデバイスは、どのような極端な温度に耐えられますか?


定格動作温度範囲は-55°C～+175°Cです。

どのようなパッケージタイプと取り付け技術が使用されていますか?


このデバイスはHSOFパッケージで提供され、表面実装向けに設計されています。

このデバイスは、自動車システムのゲートストレスにどのように対応しますか?


最大±20 Vのゲートソース電圧に対応し、標準的な自動車用ドライブマージンを実現します。

どのようなチャンネル伝導モードとタイプを採用していますか?


スイッチング用途向けに設計されたエンハンスメントモードNチャンネルデバイスです。

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