Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 40 A, 13 mΩ, 8ピン, パッケージ：PQFN

このMOSFETは、要求の厳しい電子システムの表面実装電源スイッチング用に設計された高電流エンハンスメントモードNチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なゲート処理と大きな連続電流能力を必要とする用途に適しています。

• 100Vドレイン・ソース定格により、高電圧DC-DC変換を実現
• 40Aの連続ドレイン電流により、持続的な高負荷動作をサポート
• 13mΩの低Rds(on)により、スイッチング時の導通損失を低減
• 68Wの消費電力により、より大きな熱ヘッドルームを実現
• ±20Vゲート・ソース・リミットにより、ゲート・ドライブ・スイングの許容差を確保
• -55°C～+175°Cの温度範囲により、過酷な環境でも使用可能

• 電源用DC-DCコンバータステージに最適
• 自動車環境での高電流スイッチングに最適
• 電気自動車サブシステムの電力管理に使用
• 鉛フリーパッケージを必要とする表面実装設計に使用可能
• バッテリ管理および配電回路に使用

表面実装用のリードレスPQFNパッケージで提供されます。

ゲート誘導電圧を回避し、安全な動作を確保するため、ゲート誘導電圧は±20V以内に保たなければなりません。

68Wの消費電力定格により、デバイスは大きな熱に対応でき、40Aの連続ドレイン電流を維持するために十分な基板熱バイアスと銅面積が必要です。

-55°C～+175°Cで動作するように設計されており、幅広い周囲温度および高温環境で使用できます。