onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 2 A N, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, FDT4N50NZU

RS品番:: 229-6327
メーカー型番:: FDT4N50NZU
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 2 A N, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, FDT4N50NZU

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RS品番:: 229-6327
メーカー型番:: FDT4N50NZU
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	500V
	パッケージ型式	SOT-223
	シリーズ	UniFET II
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3Ω
	チャンネルモード	N
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	9.1nC
	最大許容損失Pd	2W
	動作温度 Max	150°C
	幅	3.7 mm
	高さ	1.7mm
	規格 / 承認	No
	長さ	6.7mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V
	パッケージ型式 SOT-223
	シリーズ UniFET II
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3Ω
	チャンネルモード N
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.1nC
	最大許容損失Pd 2W
	動作温度 Max 150°C
	幅 3.7 mm
	高さ 1.7mm
	規格 / 承認 No
	長さ 6.7mm
	自動車規格なし

ON Semiconductor UniFET II 高電圧 MOSFET は、 Advanced Planar ストライプ及び DMOS テクノロジーをベースとしています。この Advanced MOSFET は、プレーナ MOSFET の中でオン状態の抵抗が最小で、優れたスイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を備えています。力率補正、フラットパネルディスプレイ、 TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS対応