onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 2 A N, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール4000個入り) 小計:*

¥330,360.00

(税抜)

¥363,400.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年5月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
4000 - 4000¥82.59¥330,360
8000 - 36000¥81.841¥327,364
40000 - 56000¥81.092¥324,368
60000 - 76000¥80.343¥321,372
80000 +¥79.604¥318,416

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
229-6326
メーカー型番:
FDT4N50NZU
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

UniFET II

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

2W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.1nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

高さ

1.7mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor UniFET II 高電圧 MOSFET は、 Advanced Planar ストライプ及び DMOS テクノロジーをベースとしています。この Advanced MOSFET は、プレーナ MOSFET の中でオン状態の抵抗が最小で、優れたスイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を備えています。力率補正、フラットパネルディスプレイ、 TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。

超低ゲート電荷

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS対応

関連ページ