onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 203 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, NTBGS004N10G
- RS品番:
- 229-6446
- メーカー型番:
- NTBGS004N10G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 229-6446
- メーカー型番:
- NTBGS004N10G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 203A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | SiC Power | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 240W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 178nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.2mm | |
| 高さ | 9.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.7 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 203A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ SiC Power | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 240W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 178nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.2mm | ||
高さ 9.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.7 mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor パワー MOSFET は、最高の信頼性を実現する頑丈な技術を備えています。48 V バスの広範囲にわたる SOA 用途向けに特別に設計されています。
優れた SOA 曲線によるホットスワップ対応
RoHS対応
導電損失を低減
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