onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 263 A P, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, NTMFS002P03P8ZT1G
- RS品番:
- 229-6465
- メーカー型番:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 700 - 945 | ¥390.80 | ¥1,954 |
| 950 - 1195 | ¥325.80 | ¥1,629 |
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- RS品番:
- 229-6465
- メーカー型番:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 263A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | NTK | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4mΩ | |
| チャンネルモード | P | |
| 順方向電圧 Vf | -1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 217nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 最大許容損失Pd | 138.9W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 5.3mm | |
| 幅 | 1.1 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 263A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ NTK | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ | ||
チャンネルモード P | ||
順方向電圧 Vf -1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 217nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
最大許容損失Pd 138.9W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 5.3mm | ||
幅 1.1 mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor N チャンネルパワー MOSFET は、超低オン状態抵抗を備えています。ドレイン電流は 226 A です。電源負荷スイッチ及びバッテリ管理で使用されます。
ON Semiconductor N チャンネルパワー MOSFET は、超低オン状態抵抗を備えています。ドレイン電流は 226 A です。電源負荷スイッチ及びバッテリ管理で使用されます。
システム効率の向上
省スペース
優れた熱伝導性
鉛フリー
ハロゲンフリー / BFR フリー
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鉛フリー
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