型番

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 263 A P, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 229-6464
メーカー型番:: NTMFS002P03P8ZT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 263 A P, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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個	単価	購入単位毎合計*
1500 - 1500	￥174.24	￥261,360
3000 - 13500	￥171.01	￥256,515
15000 - 21000	￥167.781	￥251,672
22500 - 28500	￥164.551	￥246,827
30000 +	￥161.321	￥241,982

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RS品番:: 229-6464
メーカー型番:: NTMFS002P03P8ZT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	263A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	NTK
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.4mΩ
	チャンネルモード	P
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	217nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	138.9W
	最大ゲートソース電圧Vgs	25 V
	順方向電圧 Vf	-1.3V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	5.3mm
	規格 / 承認	No
	幅	1.1 mm
	長さ	6.3mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 263A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ NTK
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ
	チャンネルモード P
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 217nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 138.9W
	最大ゲートソース電圧Vgs 25 V
	順方向電圧 Vf -1.3V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 5.3mm
	規格 / 承認 No
	幅 1.1 mm
	長さ 6.3mm
	自動車規格なし

Datasheet - NTMFS002P03P8ZT1G

ON Semiconductor N チャンネルパワー MOSFET は、超低オン状態抵抗を備えています。ドレイン電流は 226 A です。電源負荷スイッチ及びバッテリ管理で使用されます。

システム効率の向上

省スペース

優れた熱伝導性

鉛フリー

ハロゲンフリー / BFR フリー