onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 16 A N, 表面, 8-Pin パッケージTDFN, NTMT190N65S3H

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梱包形態
RS品番:
229-6482
メーカー型番:
NTMT190N65S3H
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SUPERFET III

パッケージ型式

TDFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

最大許容損失Pd

129W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

8.1mm

幅

1.1 mm

高さ

8.1mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor SUPER FET シリーズは、電荷バランス技術を採用している新しい高電圧スーパージャンクション MOSFET で、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この Advanced Technology は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられるようになっています。

低実効出力静電容量

アバランシェ100 %テスト済み

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

鉛フリー

RoHS対応

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