onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A N, 表面, 8-Pin パッケージDFN, NTMTS1D6N10MCTXG

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥3,184.00

(税抜)

￥3,502.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 58￥1,592.00￥3,184
60 - 598￥1,428.00￥2,856
600 - 1198￥1,266.00￥2,532
1200 - 2398￥1,102.50￥2,205
2400 +￥939.00￥1,878

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
230-9094
メーカー型番:
NTMTS1D6N10MCTXG
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

NTMC0

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

17mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

106nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

291W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

8.4mm

幅

1.2 mm

高さ

9.42mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor NTMFS シリーズは、ドレイン - ソース電圧が 100 V の N チャンネル MOSFET です通常、同期整流及び DC-DC 変換が使用されています。

コンパクト設計のための小型フットプリント（ 8 x 8 mm

低RDS(on)で導電損失を最小限に抑制

低いQGと静電容量でドライバ損失を最小化

新しい Power 88 パッケージ

鉛フリーで、 RoHS に準拠しています

関連ページ