Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 20 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥15,269.01

(税抜)

¥16,795.92

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 60 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120¥508.967¥15,269
150 - 270¥493.633¥14,809
300 - 720¥467.467¥14,024
750 - 1470¥454.40¥13,632
1500 +¥441.30¥13,239

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
232-0398
メーカー型番:
IMW65R107M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

142mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon では、 TO247 3 ピンパッケージで信頼性の高いコスト効果の高い性能を発揮する SiC MOSFET を採用しています。CoolSiC MOSFET 技術は、シリコンカーバイドの強力な物理特性を活用し、デバイスの性能、堅牢性、および使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。MOSFET 650 V は、最先端のトレンチ半導体上に構築されており、アプリケーションの最小損失と動作の最高の信頼性の両方を妥協することなく実現できます。

低静電容量

高電流でのスイッチング動作の最適化

優れたゲート酸化性

優れた温度特性

アバランシェ耐性向上

標準ドライバで動作します

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



関連ページ