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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	47A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	CoolSiC
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	34mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 47A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ CoolSiC
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 34mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - IMW65R027M1HXKSA1

Infineon では、 TO247 3 ピンパッケージで信頼性の高いコスト効果の高い性能を発揮する SiC MOSFET を採用しています。CoolSiC MOSFET 技術は、シリコンカーバイドの強力な物理特性を活用し、デバイスの性能、堅牢性、および使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。MOSFET 650 V は、最先端のトレンチ半導体上に構築されており、アプリケーションの最小損失と動作の最高の信頼性の両方を妥協することなく実現できます。

低静電容量

高電流でのスイッチング動作の最適化

優れたゲート酸化性

優れた温度特性

アバランシェ耐性向上

標準ドライバで動作します

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 47 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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