Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 59 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247, IMZA65R027M1HXKSA1

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RS品番:
232-0401
メーカー型番:
IMZA65R027M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

59A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

34mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon では、 TO247 4 ピンパッケージで信頼性の高いコスト効果の高い性能を発揮する SiC MOSFET を採用しています。650 V CoolSiC MOSFET は、独自の性能、信頼性、使いやすさを兼ね備えています。高温及び過酷な作業に適しており、最高レベルのシステム効率を簡単かつコスト効果の高い方法で展開できます。TO247 4 ピンパッケージの MOSFET は、ゲート回路への寄生ソースインダクタンスの影響を軽減し、高速スイッチングと効率を実現します。

低静電容量

高電流でのスイッチング動作の最適化

優れたゲート酸化性

優れた温度特性

アバランシェ耐性向上

標準ドライバで動作します

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