Infineon Nチャンネル MOSFET80 V 66 A 表面実装 パッケージSuperSO8 5 x 6 8 ピン
- RS品番:
- 232-6749
- メーカー型番:
- ISC0602NLSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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単価： 購入単位は5個
￥252.00
(税抜)
￥277.20
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥252.00 | ￥1,260.00 |
| 150 - 1495 | ￥244.60 | ￥1,223.00 |
| 1500 - 1995 | ￥177.00 | ￥885.00 |
| 2000 - 3995 | ￥143.40 | ￥717.00 |
| 4000 + | ￥109.60 | ￥548.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 232-6749
- メーカー型番:
- ISC0602NLSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon の OptiMOS PD パワー MOSFET 80 V は、 USB-PD 及びアダプタ用途を対象に設計されています。SuperSO8 パッケージにより、高速ランプアップと最適化されたリードタイムが実現されます。OptiMOS 低電圧 MOSFET は、パワーデリバリ用の製品で、部品の少ない設計を可能にし、 BOM コストを削減します。OptiMOS PD は、小型軽量パッケージの高品質製品を取り揃えています。
ロジックレベルの可用性
優れた温度特性
アバランシェ100 %テスト済み
優れた温度特性
アバランシェ100 %テスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 66 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 80 V |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 |
| パッケージタイプ | SuperSO8 5 x 6 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.0073 O 、 0.0095 O |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.3V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
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