Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 66 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, ISC0602NLSATMA1

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梱包形態
RS品番:
232-6749
メーカー型番:
ISC0602NLSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

66A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.5mΩ

最大許容損失Pd

60W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.1mm

規格 / 承認

No

幅

1.2 mm

高さ

5.35mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS PD パワー MOSFET 80 V は、 USB-PD 及びアダプタ用途を対象に設計されています。SuperSO8 パッケージにより、高速ランプアップと最適化されたリードタイムが実現されます。OptiMOS 低電圧 MOSFET は、パワーデリバリ用の製品で、部品の少ない設計を可能にし、 BOM コストを削減します。OptiMOS PD は、小型軽量パッケージの高品質製品を取り揃えています。

ロジックレベルの可用性

優れた温度特性

アバランシェ100 %テスト済み

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