Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 135 A, 3.5 mΩ, 56 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

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梱包形態
RS品番:
232-6753
メーカー型番:
ISC0702NLSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

135A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5mΩ

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

100W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.1mm

高さ

5.35mm

規格 / 承認

No

幅

1.2mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流135A - ISC0702NLSATMA1


このMOSFETは、高電流Nチャンネルパワートランジスタで、効率的なスイッチングと耐熱性が求められる表面実装用途向けに設計されています。幅広い温度範囲で動作し、要求の厳しい電子システムにおける電力変換およびスイッチング機能を目的としています。

特長:


• 3.5mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 135Aの連続ドレイン電流に対応し、高負荷に対応
• 60Vのドレイン・ソース電圧により、高電圧電力段階を実現
• 100Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 56nCの標準ゲート充電により、効率的なスイッチングトランジションを実現
• 20Vゲートしきい値により、幅広いゲートドライブ振幅に対応

用途


• DC-DCコンバータのNチャンネルパワーステージに最適
• 高電流表面実装電源と併用
• コンバーターのコンパクトなSO-8電源モジュールに最適
• 電源システムの汎用スイッチングに使用可能
• 高電流パワートランジスタの交換に最適

動作中にどのような環境範囲に耐えられますか?


-55°C~175°Cで動作します。

このパッケージには、プリント基板実装用のピン数がありますか?


8ピンSO-8表面実装パッケージで提供されます。

どのような順方向伝導特性が導通低下に影響しますか?


このデバイスの順方向電圧は1.1 Vで、オン状態の電圧降下に影響を与えます。

設計者はどのような物理的フットプリントの制限を考慮すべきですか?


このパッケージの長さは6.1mm、高さは5.35mm、幅は1.2mmです。

どのようなチャンネルタイプと取り付け方法を使用しますか?


Nチャンネルアーキテクチャを採用し、表面実装向けです。

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