STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 91 A, 21 mΩ, 28 nC, 3ピン, パッケージ：Hip-247
- RS品番:
- 233-3024
- メーカー型番:
- SCTW70N120G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 233-3024
- メーカー型番:
- SCTW70N120G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 91A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| パッケージ型式 | Hip-247 | |
| シリーズ | SCTW70N | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 21mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 547W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 順方向電圧 Vf | 2.7V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 高さ | 20.15mm | |
| 長さ | 15.75mm | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 91A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
パッケージ型式 Hip-247 | ||
シリーズ SCTW70N | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 21mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 547W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
順方向電圧 Vf 2.7V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
動作温度 Max 200°C | ||
高さ 20.15mm | ||
長さ 15.75mm | ||
幅 5.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、ワイドバンドギャップ材料の Advanced で革新的な特性を利用して製造されています。この結果、ユニットあたりの最高のオン抵抗と非常に優れたスイッチング性能が、温度とほぼ無関係に実現されています。Sic 素材の卓越した熱特性により、設計者は熱特性が大幅に向上した業界標準の外形を使用できます。このような特長により、高効率及び高電力密度用途に最適です。
非常に高いジャンクション動作温度性能（ TJ = 200 ° C ）
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
非常に低いゲート電荷及び入力静電容量
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