STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 91 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージHip-247, SCTW70N120G2V

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梱包形態
RS品番:
233-3024
メーカー型番:
SCTW70N120G2V
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

91A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

SCTW70N

パッケージ型式

Hip-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

21mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

2.7V

最大許容損失Pd

547W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Max

200°C

規格 / 承認

No

長さ

15.75mm

幅

5.15 mm

高さ

20.15mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET は、ワイドバンドギャップ材料の Advanced で革新的な特性を利用して製造されています。この結果、ユニットあたりの最高のオン抵抗と非常に優れたスイッチング性能が、温度とほぼ無関係に実現されています。Sic 素材の卓越した熱特性により、設計者は熱特性が大幅に向上した業界標準の外形を使用できます。このような特長により、高効率及び高電力密度用途に最適です。

非常に高いジャンクション動作温度性能（ TJ = 200 ° C ）

非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです

非常に低いゲート電荷及び入力静電容量

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