STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 60 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージHip-247, SCTW60N120G2

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梱包形態
RS品番:
239-5530
メーカー型番:
SCTW60N120G2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

SCT

パッケージ型式

Hip-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

73mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

389W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

94nC

最大ゲートソース電圧Vgs

18 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

3V

動作温度 Max

200°C

高さ

5mm

幅

15.6 mm

長さ

34.8mm

規格 / 承認

UL

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronicsのSiCパワーMOSFETは、STの先進的で革新的な第2世代SiC MOSFET技術を使用して開発された製品です。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、優れたスイッチング性能を発揮します。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。スイッチング電源、DC-DCコンバータ、産業用モータ制御に使用できます。

非常に高速で堅牢な本質ボディダイオード

極めて低いゲート電荷及び入力静電容量

非常に高い動作ジャンクション温度能力

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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