Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 288 A, 3.4 mΩ, 53 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON

RS品番:: 233-4396
メーカー型番:: ISZ034N06LM5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 288 A, 3.4 mΩ, 53 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON

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RS品番:: 233-4396
メーカー型番:: ISZ034N06LM5ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	288A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	TDSON
	シリーズ	ISC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.4mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	83W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	53nC
	順方向電圧 Vf	1V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	長さ	3.4mm
	幅	1.1mm
	高さ	3.4mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 288A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 TDSON
	シリーズ ISC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.4mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 83W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 53nC
	順方向電圧 Vf 1V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	長さ 3.4mm
	幅 1.1mm
	高さ 3.4mm
	自動車規格なし

Datasheet - ISZ034N06LM5ATMA1

Infineon ISCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流288A - ISZ034N06LM5ATMA1

このMOSFETは、コンパクトな電源アセンブリの高電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネル強化デバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、低導通損失と高速ゲート駆動スイッチングを必要とする用途に適しており、小型のTDSONパッケージに収められています。

特長：

• 最大連続ドレイン電流288Aで、高電流処理に対応
• 3.4 mΩの低ドレイン・ソース抵抗により、導通損失を低減
• 中電圧電力段のドレイン・ソース定格60V
• 標準ゲート電荷53nCにより、効率的なスイッチングトランジションを実現
• 最大消費電力83Wで高負荷条件に対応
• ゲートソース耐電圧20Vにより、堅牢なゲートドライブマージンを実現

用途

• 高電流モータードライブステージに最適
• 電源の同期降圧コンバータと併用
• DC配電および負荷スイッチングに最適
• バッテリ管理およびセルバランスに使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適

極端な温度範囲での動作を可能にするものは何ですか?

内部半導体構造とテスト済み定格により、-55°C～175°Cでの使用が可能です。

このパッケージは、熱管理をどのようにサポートしますか?

TDSON表面実装パッケージは、プリント基板レイアウト内で熱放散を実現する低プロファイルの熱経路を提供します。

スイッチング性能にはどのようなゲートドライブに関する考慮事項が必要ですか?

ドライブ回路は、最大20 Vのゲート-ソース出力に対応し、必要なスイッチング速度に対して53 nCの標準ゲート電荷を管理する必要があります。

設計者は、高電流時の導通損失をどのように考慮すべきですか?

3.4 mΩ Rds(on)値を使用してI2R損失を計算し、基板銅およびサーマルバイアスを確認して結果の熱を処理します。

持続的な動作には、どのようなピーク電力能力が指示されていますか?

このデバイスの最大消費電力は83Wで、継続的な熱設計を考慮することができます。