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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	77A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	TDSON-8 FL
	シリーズ	ISC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.6mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	21nC
	最大許容損失Pd	50W
	動作温度 Max	175°C
	幅	1.1 mm
	高さ	4.4mm
	長さ	3.8mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 77A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 TDSON-8 FL
	シリーズ ISC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.6mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 21nC
	最大許容損失Pd 50W
	動作温度 Max 175°C
	幅 1.1 mm
	高さ 4.4mm
	長さ 3.8mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Infineon の OptiMOS 5 パワートランジスタ N チャンネル MOSFET は、 40 V のドレインソース降伏電圧と 77 A の連続ドレイン電流を備えています。この製品は、標準レベル（しきい値電圧が高い）の駆動機能を必要とする用途のベンチマークソリューションとなります。標準レベルのポートフォリオで Vth が高いため、ノイズの多い環境で誤ターンオンに対する耐性があります。さらに、 QGD-QGS 比を低くするとゲート電圧スパイクの Peak

バッテリ駆動用途

LV モータ駆動

超低オン抵抗 RDS （ on ）

アバランシェ100 %テスト済み

ジャンクション温度： 175 ° C

優れた熱抵抗

低ゲート電荷量

スイッチング損失の低減

高周波数での動作に適しています

N チャンネル

鉛フリーリードめっき

RoHS対応

IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 77 A, 表面, 8-Pin パッケージTDSON-8 FL, ISC046N04NM5ATMA1

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