インフィニオン MOSFETモジュール, Nチャンネル, 100 A, スクリュー マウント, F411MR12W2M1B76BOMA1

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RS品番:
234-8960
メーカー型番:
F411MR12W2M1B76BOMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

100 A

最大ドレイン-ソース間電圧

1200 V

パッケージタイプ

AG-EASY2B

シリーズ

F4

実装タイプ

スクリュー マウント

最大ドレイン-ソース間抵抗

0.0113 Ω

最大ゲートしきい値電圧

5.55V

トランジスタ素材

SiC

1チップ当たりのエレメント数

4

Infineon IGBTモジュールは、1200 Vのドレイン-ソース電圧と100 Aの連続ドレイン電流で動作する4 Nチャンネル(ハーフブリッジ) FETタイプを備えています。

シャーシ取り付け動作温度:
-40 → 150 °C

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