分離式 Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 25 A 1200 V, 2-Pin, F445MR12W1M1B76BPSA1 パッケージAG-EASY2B

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RS品番:
234-8967
メーカー型番:
F445MR12W1M1B76BPSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

F4

パッケージ型式

AG-EASY2B

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

20mW

順方向電圧 Vf

5.65V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.062μC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

高さ

16.4mm

長さ

62.8mm

規格 / 承認

60749 and 60068, IEC 60747

幅

33.8 mm

自動車規格

なし

Infineon IGBTモジュールは、1200 Vのドレイン-ソース電圧と75 Aの連続ドレイン電流で動作する4 Nチャンネル(ハーフブリッジ) FETタイプを備えています。

シャーシ取り付け動作温度:

-40 → 150 °C

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