Infineon Nチャンネル MOSFETモジュール1200 V 25 A スクリュー マウント パッケージAG-EASY2B
- RS品番:
- 234-8967
- メーカー型番:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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単価： 購入単位は24 個
￥9,780.167
(税抜)
￥10,758.184
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | ￥9,780.167 | ￥234,724.008 |
| 48 - 216 | ￥9,584.583 | ￥230,029.992 |
| 240 - 336 | ￥9,392.917 | ￥225,430.008 |
| 360 - 456 | ￥9,205.083 | ￥220,921.992 |
| 480 + | ￥9,020.958 | ￥216,502.992 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 234-8967
- メーカー型番:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon IGBTモジュールは、1200 Vのドレイン-ソース電圧と75 Aの連続ドレイン電流で動作する4 Nチャンネル(ハーフブリッジ) FETタイプを備えています。
シャーシ取り付け動作温度:
-40 → 150 °C
-40 → 150 °C
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 25 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| パッケージタイプ | AG-EASY2B |
| シリーズ | F4 |
| 実装タイプ | スクリュー マウント |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.045 Ω |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5.55V |
| トランジスタ素材 | SiC |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 4 |
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