Infineon MOSFET 2000 V, 50 A, 表面 パッケージAG-EASY3B
- RS品番:
- 260-1092
- メーカー型番:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 120 - 152 | ￥34,841.375 | ￥278,731 |
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- RS品番:
- 260-1092
- メーカー型番:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 2000V | |
| パッケージ型式 | AG-EASY3B | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26.5mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 6.15V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 2000V | ||
パッケージ型式 AG-EASY3B | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26.5mΩ | ||
順方向電圧 Vf 6.15V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon MOSFETは、1つのEasy 3Bハウジングに4脚ブースト構成を備え、最新世代のCoolSiC M1Hを搭載しています。2000 V SiC MOSFETは、1200 V M1Hシリーズと同じ性能と利点を備えています。 125 °Cで12 %低いRDS(on)、柔軟性の高い広いゲートソース電圧領域、最大ジャンクション温度175 °C、小型チップサイズ
高電流密度
低誘導設計
内蔵の取り付けクランプによる頑丈な取り付け
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