Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 475 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージHSOF, IST006N04NM6AUMA1

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梱包形態
RS品番:
235-0606
メーカー型番:
IST006N04NM6AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

475A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

IST

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

250W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

178nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.9mm

幅

2.4 mm

高さ

7.2mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSTM6パワートランジスタは、40 Vで動作し、ドレイン電流は475 Aです。0.60 mΩの超低RDS(on)を備えたストールパッケージに収められています。堅牢な産業パッケージ向けのInfineonの知られている品質レベルの利点を備えているため、バッテリ駆動用途、バッテリ保護、バッテリ成形におけるさまざまな性能に最適なソリューションとなっています。

低電圧モータドライブ用途向けに最適化、バッテリ電源用途向けに最適化、超低オン抵抗RDS(on)、100

%アバランシェテスト、優れた熱性能、Nチャンネル

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