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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	ローム
	チャンネルタイプ	N, P
	最大連続ドレイン電流	3 A、3.5 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	60 V
	パッケージタイプ	TSMT-8
	シリーズ	QH8MC5
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗	0.09 （ N チャンネル） O 、 0.091 （ P チャンネル） O
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	2.5V
	1チップ当たりのエレメント数	2

	すべて選択
	ブランドローム
	チャンネルタイプ N, P
	最大連続ドレイン電流 3 A、3.5 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
	パッケージタイプ TSMT-8
	シリーズ QH8MC5
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 0.09 （ N チャンネル） O 、 0.091 （ P チャンネル） O
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 2.5V
	1チップ当たりのエレメント数 2

Datasheet - QH8MC5TCR

ROHM のデュアル N チャンネル及び P チャンネル MOSFET は、 60 V の耐電圧に対応しています。ファクトリオートメーション機器などの 24 V 入力機器や、基地局に取り付けられているモータ用に設計されています。最適な N チャネル + P チャネルを組み合わせることで、設計作業を削減できます。また、機器の低消費電力化にも貢献します。

低オン抵抗

小型表面実装パッケージ

鉛フリーリードめっき

RoHS対応

ハロゲンフリー

ローム MOSFET, N, Pチャンネル, 3 A、3.5 A, 表面実装, 8 ピン, QH8MC5TCR

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