Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 230 A, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6, ISC022N10NM6ATMA1

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RS品番:
235-4862
メーカー型番:
ISC022N10NM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

230A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

シリーズ

ISC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.24mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

91nC

最大許容損失Pd

245W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

1.1 mm

長さ

6.1mm

高さ

5.1mm

自動車規格

なし

OptiMOSTM 6パワーMOSFET 100 Vノーマルレベル、SuperSO8パッケージ


ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 100 V (標準レベル)は、ディスクリートパワーMOSFETの分野で新しい技術規格を設定しています。Infineonの最先端の薄型ウェーバーテクノロジーは、代替製品と比べて大きな性能の利点を発揮します。

InfineonのOptiMOSTM 6産業用パワーMOSFET 100 Vは、通信やサーバー電源などの高スイッチング周波数用途向けに設計されていますが、太陽光、電動工具、ドローンなどのその他の用途にも最適です。

SuperSO8パッケージでは、以前のOptiMOSTM 5技術に比べて、オン状態抵抗(RDS(オン))が約20 %向上し、メリット数(FOM - RDS(オン) x Qg及びQgd)が30 %向上しています。 これにより、設計者は効率を向上させ、熱設計が容易になり、並列化が少なくなり、システムコストを削減できます。

機能の概要


OptiMOSTM 5と比較すると、この新しいテクノロジーは次のような性能を発揮します。

• ∼20 %低いRDS(オン)

• 30%改善されたFOMg、40%改善されたFOMgd

• 低く柔らかい逆回復電荷(Qrr)

• 高スイッチング周波数に最適

• J-STD-020に準拠したMSL 1分類

• 定格ジャンクション温度: 175 °C

• 高定格アバランシェエネルギー

• 鉛フリーリードめっき

• RoHS対応

給付金


• 低い導電損失

• 低スイッチング損失

• 高速オン / オフ

• 並列の必要性を軽減

• 堅牢で信頼性の高い性能

• 環境に配慮

• 並列の必要性を軽減

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