Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 212 A N, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6, BSZ040N06LS5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
241-9681
メーカー型番:
BSZ040N06LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSTM 5 Nチャンネルロジックレベルパワー MOSFETは、ドレインソース電圧(VDS)60V、ドレイン電流(ID)が101Aです。ロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、電気通信アプリケーションに適しています。このデバイスの低ゲート電荷（Q g）は、伝導損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数（figues of merit）が改善されているため、高いスイッチング周波数での動作が可能です。さらに、ロジック・レベルドライブは低ゲートしきい値電圧（V GS(th)）を提供するため、MOSFETを5Vでマイクロコントローラーから直接駆動できます。

高性能 SMPS (例:同期整流)向けに最適化されています

100 %アバランシェ試験済み

優れた耐熱性

Nチャンネル

ターゲット用途向けのJEDEC1準拠に対応

鉛フリーリードめっき

RoHS適合

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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