東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 300 mA, 表面, 6-Pin パッケージUS6, SSM6N7002KFU,LF(T
- RS品番:
- 236-3582
- メーカー型番:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋200個入り) 小計：*
￥2,849.00
(税抜)
￥3,134.00
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 27,400 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | ￥14.245 | ￥2,849 |
| 400 - 600 | ￥13.385 | ￥2,677 |
| 800 - 1000 | ￥12.53 | ￥2,506 |
| 1200 - 2800 | ￥11.67 | ￥2,334 |
| 3000 + | ￥10.81 | ￥2,162 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 236-3582
- メーカー型番:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 300mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | US6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | -0.79V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 長さ | 2.1mm | |
| 幅 | 2 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 300mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 US6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
順方向電圧 Vf -0.79V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.39nC | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.9mm | ||
長さ 2.1mm | ||
幅 2 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Toshiba 電界効果トランジスタは、シリコン材料で構成されており、 N チャンネル MOS タイプを使用しています。主に高速スイッチング用途で使用されます。
保管温度範囲： -55 → 150 ° C