2 東芝電池 MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 300 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSOT-363
- RS品番:
- 171-2410
- メーカー型番:
- SSM6N7002KFU
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
ボリュームディスカウント対象商品
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￥25,725.00
(税抜)
￥28,296.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥8.575 | ￥25,725 |
| 6000 - 6000 | ￥7.915 | ￥23,745 |
| 9000 + | ￥7.348 | ￥22,044 |
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- RS品番:
- 171-2410
- メーカー型番:
- SSM6N7002KFU
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 300mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.75Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| 順方向電圧 Vf | -0.79V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2mm | |
| 幅 | 1.25 mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 300mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.75Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.39nC | ||
順方向電圧 Vf -0.79V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2mm | ||
幅 1.25 mm | ||
高さ 0.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- TH
高速スイッチング
高速スイッチング
低いドレイン-ソース間オン抵抗
RDS(ON) = 1.05 Ω (標準) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1.15 Ω (標準) (@VGS = 5.0 V)
RDS(ON) = 1.2 Ω (標準) (@VGS = 4.5 V)
低いドレイン-ソース間オン抵抗
RDS(ON) = 1.05 Ω (標準) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1.15 Ω (標準) (@VGS = 5.0 V)
RDS(ON) = 1.2 Ω (標準) (@VGS = 4.5 V)
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