Microchip MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 140 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92, VP0106N3-G

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梱包形態
RS品番:
236-8962
メーカー型番:
VP0106N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

140A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

VP0106

パッケージ型式

TO-92

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.6W

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Microchip のエンハンスメントモード通常オントランジスタは、垂直型 DMOS 構造と、 Supertex の実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。垂直型 DMOS FET は、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。

二次降伏なし

低駆動電力要件

並列接続が簡単

低CISS及び高速スイッチング

優れた熱安定性

ソース-ドレインダイオードを内蔵

高入力インピーダンス及び高ゲイン

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