Microchip MOSFET, タイプPチャンネル 650 V, 10.3 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92, VP2206N3-G

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梱包形態
RS品番:
239-5621
メーカー型番:
VP2206N3-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

10.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

VP2206

パッケージ型式

TO-92

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.8V

最大許容損失Pd

140W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Microchip VP2206シリーズは、縦型DMOS構造とSupertexの実績のあるシリコンゲート製造プロセスを利用した強化モード(通常オフ)トランジスタです。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次絶縁破壊の恐れがありません。この縦型DMOS FETは、超低しきい値電圧、高ブレークダウン電圧、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング及び増幅用途に最適です。

二次故障の恐れがない

低消費電力

簡単な並列接続、低CISS、高速スイッチング

高入力インピーダンス、高ゲイン、優れた熱安定性

ソース-ドレイン間ダイオードを内蔵

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