Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 210 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8L, SQJ182EP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
239-5409
メーカー型番:
SQJ182EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

210A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8L

シリーズ

SQJ

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.005Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

64nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

395W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

長さ

6.15mm

幅

4.9 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay NチャンネルMOSFETのドレイン電流は210 Aです。

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/Qgs比<1でスイッチング特性を最適化

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