Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 410 A デプレッション型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK SO-8L, SQJ186EP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
239-8671
メーカー型番:
SQJ186EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

410A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8L

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.02Ω

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

255W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

125°C

幅

4.9 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.15mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay SIDRは、80 V、最大175 ℃で動作する車載用NチャンネルMOSFETです。このMOSFETは、高電力密度に使用されます。

AEC-Q101認定

UISテスト済み

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