Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 10.3 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-92, TN5325K1-G

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梱包形態
RS品番:
239-5618
メーカー型番:
TN5325K1-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
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ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

TN5325

パッケージ型式

TO-92

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

140W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Microchip TN5325シリーズの低しきい値強化モード(通常オフ)トランジスタは、縦型DMOS構造と実証済みのシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次絶縁破壊の恐れがありません。

最大2 Vの低しきい値

高入力インピーダンス、高ゲイン

立ち上がり時間: 15 ns

ターンオフ遅延時間: 25 ns

立ち下がり時間: 25 ns

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