STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-252, STD86N3LH5

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥1,250.00

(税抜)

¥1,375.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,900 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 120¥250.00¥1,250
125 - 1195¥219.80¥1,099
1200 - 1595¥188.20¥941
1600 - 1995¥156.60¥783
2000 +¥124.80¥624

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
239-6330
メーカー型番:
STD86N3LH5
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

STD

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

最大許容損失Pd

70W

順方向電圧 Vf

1.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.6mm

高さ

2.4mm

6.2 mm

規格 / 承認

UL

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronics MOSFETは、STMicroelectronicsのSTripFET H5技術を使用して開発されたNチャネルパワーMOSFETです。このデバイスは、非常に低いオン抵抗を実現するように最適化されています。

低オン抵抗

高いアバランシェ耐量

低ゲート駆動電力損失

30 V Vdss

80 A ID

関連ページ