STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-252
- RS Stock No.:
- 239-6329
- Mfr. Part No.:
- STD86N3LH5
- Brand:
- STMicroelectronics
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥114.297 | ¥285,743 |
| 5000 - 22500 | ¥112.616 | ¥281,540 |
| 25000 - 35000 | ¥110.936 | ¥277,340 |
| 37500 - 47500 | ¥109.255 | ¥273,138 |
| 50000 + | ¥107.574 | ¥268,935 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 239-6329
- Mfr. Part No.:
- STD86N3LH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | STD | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 45mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 70W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.2 mm | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 規格 / 承認 | UL | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ STD | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 45mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 70W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.2 mm | ||
長さ 6.6mm | ||
高さ 2.4mm | ||
規格 / 承認 UL | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFETは、STMicroelectronicsのSTripFET H5技術を使用して開発されたNチャネルパワーMOSFETです。このデバイスは、非常に低いオン抵抗を実現するように最適化されています。
低オン抵抗
高いアバランシェ耐量
低ゲート駆動電力損失
30 V Vdss
80 A ID
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