Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 95 A, 0.023 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247AC

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RS品番:
239-8628
メーカー型番:
SIHG026N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

95A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247AC

シリーズ

EF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.023Ω

チャンネルモード

デプレッション型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

521W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流95A - SIHG026N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、商用および自動車環境での要求の厳しい電力変換およびスイッチング作業向けに設計された高電圧Nチャンネルデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、表面実装用のTO-247ACパッケージで提供されるため、堅牢な熱性能とコンパクトな取り付けが必要な場所に適しています。

特長:


• 高電圧スイッチング用途向けの650Vドレインソース耐性
• 95Aの連続ドレイン電流により、高負荷処理を実現
• 0.023Ω Rds(on)により、導通損失を低減
• 521Wの消費電力により、持続的な電力供給を実現
• 63 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 30Vゲートソース定格により、幅広いゲート駆動電圧に対応

用途


• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 自動車用パワートレインおよび補助システムに最適
• 産業用モータドライブおよびインバータに使用
• サーバーおよび通信電源モジュールに使用可能
• バッテリー管理およびEV充電段階に最適

どのような動作温度に対応できますか?


-55°C~+150°Cで確実に動作し、極端な温度環境に対応します。

パッケージは熱管理にどのような影響を与えますか?


TO-247ACパッケージは、ヒートシンクおよびプリント基板実装に対応する大きなサーマルパッドエリアを備え、効果的な熱伝達を実現します。

ゲートドライブに関してどのような考慮事項が必要ですか?


このデバイスは、最大30 Vのゲートソース電圧に対応しているため、適切な強化を確保しながら、その制限内に留まるようにゲートドライバを選択する必要があります。

自動車認証に適していますか?


AEC-Q101規格に適合しており、特定の自動車用電子用途に適しています。

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