Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 63.7 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR516DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
239-8651
メーカー型番:
SiR516DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

63.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.01Ω

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

最大許容損失Pd

83W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、100 Vで動作する第4世代パワーNチャンネルMOSFETで、電源やモータ駆動制御、同期整流に使用されます。

超低抵抗

UISテスト済み

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