Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 42.4 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR576DP-T1-RE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥2,115.00

(税抜)

￥2,326.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,820 は 2026年1月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥211.50￥2,115
150 - 1390￥187.50￥1,875
1400 - 1890￥164.70￥1,647
1900 - 2390￥140.40￥1,404
2400 +￥117.90￥1,179

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
239-8656
メーカー型番:
SIR576DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

42.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.02Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

83W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、150 Vで動作する車載用第4世代パワーNチャンネルMOSFETで、電源やモータ駆動制御、同期整流に使用されます。

超低抵抗

UISテスト済み

関連ページ