Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 214 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SLW, SQS140ENW-T1_GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,853.00

(税抜)

￥2,038.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 3,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥185.30￥1,853
150 - 1390￥165.30￥1,653
1400 - 1890￥145.50￥1,455
1900 - 2390￥125.70￥1,257
2400 +￥105.90￥1,059

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
239-8683
メーカー型番:
SQS140ENW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

214A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8SLW

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.000253Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大許容損失Pd

197W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

125°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、40 V、最大175 ℃で動作する第4世代パワーNチャンネルMOSFETです。このMOSFETは、高電力密度に使用されます。

低抵抗

AEC-Q101認定

UISテスト済み

関連ページ