Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 253 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IQE030N06NM5ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥988.00

(税抜)

￥1,086.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 428 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 98￥494.00￥988
100 - 998￥457.50￥915
1000 - 1998￥420.00￥840
2000 - 3998￥383.00￥766
4000 +￥347.00￥694

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
240-6632
メーカー型番:
IQE030N06NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

253A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

IQE

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.85mΩ

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.73V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM 5 60 V PQFN 3.3 x 3.3ソースダウンは、60 Vと3.0 mΩの低RDS(on) を特長としています。熱性能の向上、高出力密度、レイアウトの可能性向上など、さまざまな利点があります。さらに、効率が高く、アクティブ冷却要件が低減され、熱管理の効果的なレイアウトがシステムレベルで利点があります。

基板損失の改善

最高の電力密度と性能を実現

関連ページ