Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 253 A, 0.85 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：PQFN
- RS品番:
- 240-6631
- メーカー型番:
- IQE030N06NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 240-6631
- メーカー型番:
- IQE030N06NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 253A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | IQE | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.85mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 730mV | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 253A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ IQE | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.85mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 730mV | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM 5 60 V PQFN 3.3 x 3.3ソースダウンは、60 Vと3.0 mΩの低RDS(on) を特長としています。熱性能の向上、高出力密度、レイアウトの可能性向上など、さまざまな利点があります。さらに、効率が高く、アクティブ冷却要件が低減され、熱管理の効果的なレイアウトがシステムレベルで利点があります。
基板損失の改善
最高の電力密度と性能を実現
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