Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 9.4 A, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK 5x6
- RS品番:
- 240-8534
- メーカー型番:
- IPLK70R1K2P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ¥51.183 | ¥255,915 |
| 10000 - 45000 | ¥51.156 | ¥255,780 |
| 50000 - 70000 | ¥50.619 | ¥253,095 |
| 75000 - 95000 | ¥50.073 | ¥250,365 |
| 100000 + | ¥49.527 | ¥247,635 |
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- RS品番:
- 240-8534
- メーカー型番:
- IPLK70R1K2P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | IPL | |
| パッケージ型式 | ThinPAK 5x6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 3 V | |
| 最大許容損失Pd | 25.5W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.35mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ IPL | ||
パッケージ型式 ThinPAK 5x6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 3 V | ||
最大許容損失Pd 25.5W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.35mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS™ P7 スーパージャンクション(SJ) MOSFETシリーズは、低消費電力SMPS市場における典型的な課題に対応するように設計されており、優れた性能と使いやすさを発揮し、フォームファクタと価格競争力を向上させています。ThinPAK 5x6パッケージは、5x6 mm²の超小型フットプリントと、高さ1 mmのロープロファイルが特長です。これらの特長は、ベンチマークの低い寄生効果と相まって、フォームファクタが大幅に小さくなり、電力密度の向上に役立ちます。この組み合わせにより、ThinPAKのCoolMOS™ P7は対象アプリケーションに適しています。700 V CoolMOSTM P7ファミリは、フライバックトポロジ向けに最適化されています。
超低損失
優れた熱挙動
内蔵ESD保護ダイオード
低スイッチング損失(Eoss)
完全認証産業用JEDEC
クラス最高の品質と信頼性
低
幅広いRDS(on)値
完全に最適化されたポートフォリオトフォリオ
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