Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 4.5 A, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK 5x6, IPLK80R1K4P7ATMA1
- RS品番:
- 240-8550
- メーカー型番:
- IPLK80R1K4P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 240-8550
- メーカー型番:
- IPLK80R1K4P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | ThinPAK 5x6 | |
| シリーズ | IPL | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 43W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 3 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 6.42mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 ThinPAK 5x6 | ||
シリーズ IPL | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
最大許容損失Pd 43W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 3 V | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 6.42mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon 800V CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、低電力スイッチング電源(SMPS)の用途に最適で、性能、設計しやすさ、価格対性能比が要求される市場に向けた製品です。アダプタ、充電器、オーディオ、SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションに焦点を当てています。この製品は、効率を最大0.6%高められます。これにより、標準的なフライバックアプリケーションでテストされた従来製品や競合他社の部品に比べて、MOSFETの温度が2℃〜8℃低くなります。また、スイッチング損失の低減とDPAK RDS(on)製品の改善により、より高い電力密度の設計を実現できます。全体として、BOMコストを削減し、組み立ての手間を省くことができます。
クラス最高のFOM RDS(on)*Eoss; Qg、Ciss、Cossの低減
クラス最高のDPAK RDS(on)
クラス最高のV(GS)th 3V、最小V(GS)th変動±0.5V
ESD保護ツェナーダイオードを内蔵
完全に最適化されたポートフォリオ
低EMI
ThinPAK 5 x 6パッケージは、フットプリントが5 x 6 mm2と非常に小さく、高さ1 mmの超低プロファイルが特長です。これらの特長は、ベンチマークの低い寄生効果と相まって、フォームファクタが大幅に小さくなり、電力密度の向上に役立ちます。この組み合わせにより、ThinPAK 5x6のCoolMOS™ P7は対象アプリケーションに適しています。
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