Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 4.5 A, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK 5x6, IPLK80R2K0P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
240-8552
Distrelec 品番:
304-24-007
メーカー型番:
IPLK80R2K0P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

ThinPAK 5x6

シリーズ

IPL

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

3 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

43W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

6.42mm

自動車規格

AEC-Q101

Distrelec Product Id

30424007

Infineon 800V CoolMOS™ P7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、低電力スイッチング電源(SMPS)の用途に最適で、性能、設計しやすさ、価格対性能比が要求される市場に向けた製品です。アダプタ、充電器、オーディオ、SMPS、AUX、産業用電源などのフライバックアプリケーションに焦点を当てています。この製品は、効率を最大0.6%高められます。これにより、標準的なフライバックアプリケーションでテストされた従来製品や競合他社の部品に比べて、MOSFETの温度が2℃〜8℃低くなります。また、スイッチング損失の低減とDPAK RDS(on)製品の改善により、より高い電力密度の設計を実現できます。全体として、BOMコストを削減し、組み立ての手間を省くことができます。

クラス最高のFOM RDS(on)*Eoss; Qg、Ciss、Cossの低減

クラス最高のDPAK RDS(on)

クラス最高のV(GS)th 3V、最小V(GS)th変動±0.5V

ESD保護ツェナーダイオードを内蔵

完全に最適化されたポートフォリオ

低EMI

ThinPAK 5 x 6パッケージは、フットプリントが5 x 6 mm2と非常に小さく、高さ1 mmの超低プロファイルが特長です。これらの特長は、ベンチマークの低い寄生効果と相まって、フォームファクタが大幅に小さくなり、電力密度の向上に役立ちます。この組み合わせにより、ThinPAK 5x6のCoolMOS™ P7は対象アプリケーションに適しています。

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