ローム MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 10.3 A N, 表面 パッケージTSMT-8, RQ7G080BGTCR
- RS品番:
- 241-2320
- メーカー型番:
- RQ7G080BGTCR
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 241-2320
- メーカー型番:
- RQ7G080BGTCR
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TSMT-8 | |
| シリーズ | RQ7G080BG | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.7mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TSMT-8 | ||
シリーズ RQ7G080BG | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.7mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.6nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
ロームRF4G100BGは、スイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。
低オン抵抗
小型表面実装パッケージTSMT8
鉛未使用めっき、RoHS準拠
