Nexperia MOSFET 30 V, 10.3 A, スルーホール パッケージTO-247, GAN041-650WSBQ
- RS品番:
- 243-4620
- メーカー型番:
- GAN041-650WSBQ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.6mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.6mΩ | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
TO-247パッケージに収められたNexperia窒化ガリウム（GaN）FET は、Nexperia の最新の高電圧GaN HEMT H2 技術と低電圧シリコンMOSFET 技術を組み合わせたノーマルオフデバイスで、優れた信頼性と性能を提供します。
超低逆回復電荷
シンプルなゲートドライブ(0 → +10 V又は12 V)
頑丈なゲート酸化膜(±20 V容量)
高いゲートしきい値電圧(+4 V)による優れたゲートバウンス耐性
逆導通モードでのソース・ドレイン間電圧が低い
過渡過電圧機能
産業用とデータ通信用のハード / ソフトスイッチングコンバータ
ブリッジレストーテムポールPFC
PVとUPS用インバータ
サーボモーター用駆動回路
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