2 Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル, 42 A 40 V, 8-Pin, PSMN013-40VLDX パッケージLFPAK56D

RS品番:: 243-4871
メーカー型番:: PSMN013-40VLDX
メーカー/ブランド名:: Nexperia

2 Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル, 42 A 40 V, 8-Pin, PSMN013-40VLDX パッケージLFPAK56D

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RS品番:: 243-4871
メーカー型番:: PSMN013-40VLDX
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

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その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	42A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	LFPAK56D
	シリーズ	PSMN013
	ピン数	8
	最大ゲートソース電圧Vgs	-20 V
	最大許容損失Pd	46W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	7.3nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 42A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 LFPAK56D
	シリーズ PSMN013
	ピン数 8
	最大ゲートソース電圧Vgs -20 V
	最大許容損失Pd 46W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.3nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Nexperiaデュアル、標準レベルNチャンネルMOSFETは、LFPAK56Dパッケージ(ハーフブリッジ構成)に収められ、Next power S3技術を採用しています。ハイサイドFETのソース(S1)とローサイドFETのドレイン(D2)の間に内部接続が行われます。このデバイスは、高性能PWMやスペースの制約のあるモータ駆動用途でハーフブリッジスイッチとして使用するのに最適です。

基板レイアウトの複雑性の低減

部品数の削減によるモジュールの小型化

より高い効率をサポートするための寄生インダクタンスの低減

低い電力損失、高い電力密度

優れたアバランシュ性能

繰り返しのアバランシュ定格

LFPAK銅クリップパッケージにより高い堅牢性と信頼性を実現

基板レイアウトの複雑性の低減

部品数の削減によるモジュールの小型化

より高い効率をサポートするための寄生インダクタンスの低減

低い電力損失、高い電力密度

優れたアバランシュ性能

繰り返しのアバランシュ定格

LFPAK銅クリップパッケージにより高い堅牢性と信頼性を実現

ハンドヘルド電動工具、ポータブル機器、スペースに制約のある用途

ブラシレス又はブラシ付きDCモータ駆動

DC-DCシステム

LED照明