型番

Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 20.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLPAK33, PXP8R3-20QXJ

RS品番:: 243-4895
メーカー型番:: PXP8R3-20QXJ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 20.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLPAK33, PXP8R3-20QXJ

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RS品番:: 243-4895
メーカー型番:: PXP8R3-20QXJ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

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その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	20.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	MLPAK33
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	13.6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	81W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 20.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 MLPAK33
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 81W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Nexperia Pチャンネル強化モード電界効果トランジスタ(FET)は、Trench MOSFET技術を採用し、MLPAK33 (SOT8002)表面実装型(SMD)プラスチックパッケージに収められています。

低しきい値電圧

Trench MOSFET技術

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Trench MOSFET技術

ハイサイド負荷スイッチ

バッテリ管理

DC-DC変換

スイッチング回路