Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 273 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB110P06LMATMA1

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RS品番:
243-9268
メーカー型番:
IPB110P06LMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon Pチャンネル小信号トランジスタは、鉛不使用のリードめっきが施されています。 MOSFETのドレイン電流は100 Aで、ドレインソース間電圧は-60 Vです。 抵抗値は非常に低いです。動作温度範囲は-55 → 150 °Cです。

表面実装技術

ロジックレベルの可用性

マイクロコントローラユニット(MCU)への簡単なインターフェイス

高速スイッチング

アバランシェ耐久性

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