Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A P, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB020N08N5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
243-9266
メーカー型番:
IPB020N08N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

P

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon NチャンネルMOSFETは、高スイッチング周波数に最適です。優れたゲート電荷積(FOM)を備えています。 通常はD2PAKパッケージシステムで提供されます。パワーMOSFETのドレイン電流は173 Aで、ドレインソース間電圧は80 Vです。

300W消費電力

表面実装

同期整流用に最適化

出力静電容量を最大44 %削減

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